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GD55B01GEFIRR
GD55B01GEFIRR
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メーカー: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
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技術: FLASH - NOR(SLC)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 128M x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 1Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O、QPI、DTR
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 128M x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 1Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O、QPI、DTR
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
