技術: GaNFET（窒化ガリウム）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: +7V、-6V
取り付けタイプ: 面実装、濡れ性フランク
電力散逸（最大）: 240W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 30.7mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 80ミリオーム @ 8A、6V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 29A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 6.2 nC @ 6 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 6V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 225 pF @ 400 V