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GA20JT12-263
GA20JT12-263
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メーカー: Navitas Semiconductor, Inc.
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技術: SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: -
グレード: -
動作温度: 175°C（TJ）
Vgs（最大）: -
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 282W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: -
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 60ミリオーム @ 20A
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 45A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3091 pF @ 800 V
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認定: -
FET機能: -
FETタイプ: -
グレード: -
動作温度: 175°C（TJ）
Vgs（最大）: -
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 282W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: -
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 60ミリオーム @ 20A
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 45A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3091 pF @ 800 V
