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GA20JT12-247
GA20JT12-247
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メーカー: Navitas Semiconductor, Inc.
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数量
認定: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 175°C
電力 - 最大: 282 W
抵抗 - RDS（On）: 50 mOhms
取り付けタイプ: スルーホール
電流ドレイン（Id） - 最大: 45 A
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1.2 kV
電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）: -
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3825pF @ 800V
電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）: 1 µA @ 1.2 kV
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FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 175°C
電力 - 最大: 282 W
抵抗 - RDS（On）: 50 mOhms
取り付けタイプ: スルーホール
電流ドレイン（Id） - 最大: 45 A
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1.2 kV
電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）: -
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3825pF @ 800V
電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）: 1 µA @ 1.2 kV
