技術: SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: -
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: -
取り付けタイプ: シャーシマウント
電力散逸（最大）: 535W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: -
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 10ミリオーム @ 100A
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 160A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 14400 pF @ 800 V