技術: SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: -
グレード: -
動作温度: 175°C（TJ）
Vgs（最大）: -
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 106W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: -
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 480リオーム @ 4A
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1700 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4A（Tc）（95°C）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -