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G3R350MT12D
G3R350MT12D
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メーカー: Navitas Semiconductor, Inc.
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技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: ±15V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 74W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.69V @ 2mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 420ミリオーム @ 4A、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 11A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 12 nC @ 15 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 334 pF @ 800 V
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認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: ±15V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 74W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.69V @ 2mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 420ミリオーム @ 4A、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 11A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 12 nC @ 15 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 334 pF @ 800 V
