技術: SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: +22V、-10V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 171W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4.3V @ 10mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 86ミリオーム @ 15A、18V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 37A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 55 nC @ 18 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 18V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1298 pF @ 800 V