技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.4W（Ta）、500mW（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.3V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 27ミリオーム @ 3A、10V、55ミリオーム @ 3A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5.6A、4.2A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 16nC @ 10V、8.5nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 547pF @ 15V、693pF @ -15V