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G2R1000MT17J
G2R1000MT17J
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メーカー: Navitas Semiconductor, Inc.
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技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: +20V、-10V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 54W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 2mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 1.2オーム @ 2A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1700 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 139 pF @ 1000 V
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認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: +20V、-10V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 54W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 2mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 1.2オーム @ 2A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1700 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 139 pF @ 1000 V
