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G2K2P10S2E
G2K2P10S2E
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メーカー: Goford Semiconductor
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: -
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 3.1W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 200ミリオーム @ 3A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3.5A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 23nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1623pF @ 50V
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構成: -
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 3.1W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 200ミリオーム @ 3A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3.5A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 23nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1623pF @ 50V
