仕入ランク:A
1
/
の
1
G180C06Y
G180C06Y
価格はお問合せ
要確認
メーカー: Goford Semiconductor
データシート: データシートを表示
数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: -
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA、4V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 17ミリオーム @ 20A、10V、23ミリオーム @ -10A、-10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 39nC @ 4.5V、62nC @ -4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2429pF @ 30V、4471pF @ -30V
詳細を表示する
構成: -
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA、4V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 17ミリオーム @ 20A、10V、23ミリオーム @ -10A、-10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 39nC @ 4.5V、62nC @ -4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2429pF @ 30V、4471pF @ -30V
