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G160N04D32
G160N04D32
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メーカー: Goford Semiconductor
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: -
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 21A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -
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構成: -
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 21A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -
