技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 13W（Tc）、30W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 11ミリオーム @ 10A、10V、23ミリオーム @ 6A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 28A（Tc）、12A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 18nC @ 10V、25nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1085pF @ 15V、1352pF @ 15V