仕入ランク:A
1
/
の
1
G05NP10S
G05NP10S
価格はお問合せ
要確認
メーカー: Goford Semiconductor
データシート: データシートを表示
数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: -
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 3W（Tc）、2.5W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 170ミリオーム @ 1A、10V、200ミリオーム @ 6A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5A（Tc）、6A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 18nC @ 10V、25nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 797pF @ 25V、760pF @ 25V
詳細を表示する
構成: -
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 3W（Tc）、2.5W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 170ミリオーム @ 1A、10V、200ミリオーム @ 6A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5A（Tc）、6A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 18nC @ 10V、25nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 797pF @ 25V、760pF @ 25V
