技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: AEC-Q101
FET機能: ロジックレベルゲート、4V駆動
FETタイプ: Pチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: ±12V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 830mW（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 90ミリオーム @ 2A、1.8V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4.1A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 1.8V、2.5V、4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -