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FLXC2002G-N2
FLXC2002G-N2
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メーカー: Lexar Enterprise
数量
技術: SDRAM - モバイルLPDDR4X
認定: -
グレード: -
動作温度: -25°C~85°C
メモリ構成: 512M x 32
電圧 - 供給: 0.6V、1.1V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 2Gバイト(DRAM)
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 1866 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: LPDDR4X
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 535ps
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認定: -
グレード: -
動作温度: -25°C~85°C
メモリ構成: 512M x 32
電圧 - 供給: 0.6V、1.1V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 2Gバイト(DRAM)
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 1866 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: LPDDR4X
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 535ps
