技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -40°C～85°C（TA）
Vgs（最大）: ±8V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 360mW（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 236µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 30ミリオーム @ 1.5A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 12 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3.4A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 5.8 nC @ 4.5 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 1.5V、4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 275 pF @ 10 V