技術: シリコンカーバイド（SiC）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 20mW
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 5.15V @ 20mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 16.2ミリオーム @ 50A、18V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 50A（Tj）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 149nC @ 18V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 4400pF @ 800V