技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: 18V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 214W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 20mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 112ミリオーム @ 8A、18V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 31A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 73 nC @ 15 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 18V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1548 pF @ 800 V