技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: +18V、-8V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 187W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 40mA（標準）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 56ミリオーム @ 20A、18V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 45A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 117 nC @ 800 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V、18V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3129 pF @ 800 V