技術: FLASH - NAND（TLC）
グレード: -
動作温度: -25°C～85°C
メモリ構成: -
電圧 - 供給: 1.8V～3.3V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 512Gバイト（NAND）
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 5836 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: UFS 2.2
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 171ps