技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 900mW（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA、3V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 29ミリオーム @ 6.5A、10V、20ミリオーム @ 7.9A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 6.5A、7.9A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 9nC @ 5V、16nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 695pF @ 10V、1233pF @ 10V