技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C
電力 - 最大: 1.6W（Ta）、2W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 250µA、2.2V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 6ミリオーム @ 13A、10V、1.8ミリオーム @ 27A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 25V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 13A（Ta）、20A（Tc）、27A（Ta）、60A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 19nC @ 10V、64nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1240pF @13V、4335pF @ 13V