技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Pチャンネル
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
Vgs（最大）: ±8V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 1.1W（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 70ミリオーム @ 2A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 2A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 8 nC @ 4.5 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 1.8V、4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 600 pF @ 10 V