技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2N-チャンネル（デュアル）非対称
認定: -
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 1W（Ta）、2.2W（Tc）、1W（Ta）、2.5W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.7V @ 250µA、2.5V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 10ミリオーム @ 13A、10V、5ミリオーム @ 18A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 13A（Ta）、24A（Tc）、18A（Ta）、60A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 24nC @ 10V、34nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1605pF @ 15V、2060pF @ 15V