技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 2.2W（Ta）、2.5W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA、3V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 5.6ミリオーム @ 15A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 25V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 15A（Ta）、30A（Tc）、26A（Ta）、40A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 27nC @ 10V、64nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1680pF @ 13V、4120pF @ 13V