技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 300mW
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 400ミリオーム @ 750mA、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V、25V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 750mA、410mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1.44nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 120pF @ 10V