技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.3W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 24ミリオーム @ 9A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 9A、6.5A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 20nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1000pF @ 20V