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FCH47N60F-F085
FCH47N60F-F085
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メーカー: Fairchild Semiconductor
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数量
技術: MOSFET(金属酸化物)
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~150°C(TJ)
Vgs(最大): ±30V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸(最大): 417W(Tc)
Id印加時のVgs(th)(最大): 5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On(最大): 75ミリオーム @ 47A、10V
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id): 47A(Tc)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大): 250 nC @ 10 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 8000 pF @ 25 V
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認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~150°C(TJ)
Vgs(最大): ±30V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸(最大): 417W(Tc)
Id印加時のVgs(th)(最大): 5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On(最大): 75ミリオーム @ 47A、10V
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id): 47A(Tc)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大): 250 nC @ 10 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 8000 pF @ 25 V
