技術: GaNFET（窒化ガリウム）
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.8V @ 600µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 404ミリオーム @ 4A、5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 300V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 2.6nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 450pF @ 150V