技術: パワーMOSFET
特長: ブートストラップ回路
用途: DCモータ、汎用
認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
出力構成: ハーフブリッジ（2）
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
負荷タイプ: 静電容量性および抵抗性
電圧 - 供給: 10V～22V
電圧 - 負荷: 10V～22V
Rds On（標準）: -
フォールト保護: シュートスルー、UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: 論理
電流 - ピーク出力: 3.3A
電流 - 出力/チャンネル: 3A