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F35UQA512M-WWR
F35UQA512M-WWR
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メーカー: Lexar Enterprise
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技術: FLASH - NAND(SLC)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C
メモリ構成: 64M x 8
電圧 - 供給: 1.7V~1.95V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 512Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: SPI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C
メモリ構成: 64M x 8
電圧 - 供給: 1.7V~1.95V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 512Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: SPI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -