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F2950NEGK8
F2950NEGK8
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メーカー: Renesas Electronics Corporation
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数量
IIP3: 69dBm
P1dB: 40dBm
回路: SP2T
特長: -
絶縁: 30dB
RFタイプ: -
トポロジ: 反射型
動作温度: -40°C～105°C
挿入損失: 0.73dB
周波数範囲: 100MHz～8GHz
電圧 - 供給: 2.7V～5.5V
テスト周波数: 8GHz
インピーダンス: 50オーム
取り付けタイプ: 面実装
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P1dB: 40dBm
回路: SP2T
特長: -
絶縁: 30dB
RFタイプ: -
トポロジ: 反射型
動作温度: -40°C～105°C
挿入損失: 0.73dB
周波数範囲: 100MHz～8GHz
電圧 - 供給: 2.7V～5.5V
テスト周波数: 8GHz
インピーダンス: 50オーム
取り付けタイプ: 面実装
