技術: 窒化ガリウム（GaN）FET
特長: ブートストラップ回路、スルーレート制御
用途: 汎用
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C～125°C（TJ）
負荷タイプ: 誘導性、容量性、抵抗性
電圧 - 供給: 10V～80V
電圧 - 負荷: 10V～80V
Rds On（標準）: 3.3ミリオーム
フォールト保護: ESD、UVLO
取り付けタイプ: 面実装、濡れ性フランク
インターフェース: 論理
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力/チャンネル: 65A