技術: 窒化ガリウム（GaN）FET
特長: ブートストラップ回路
用途: 同期式降圧コンバータ
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
負荷タイプ: 誘導性、容量性
電圧 - 供給: 11V～13V
電圧 - 負荷: 11V～13V
Rds On（標準）: 8.5ミリオーム LS、8.5ミリオーム HS
フォールト保護: UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: 論理、PWM
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力/チャンネル: 12.5A