技術: GaNFET（窒化ガリウム）
構成: 3Nチャンネル（ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 100µA、2.5V @ 20µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 190ミリオーム @ 2.5A、 5V、 3.3オーム @ 2.5A、 5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60V、100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 1.7A、500mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 0.22nC @ 5V、 0.044nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 22pF @ 30V、 7pF @ 30V