技術: GaNFET（窒化ガリウム）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 2.5mA、2.5V @ 10mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 14.5ミリオーム @ 20A、5V、3.4ミリオーム @ 20A、5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 80V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 9.5A、 38A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 2.5nC @ 5V、10nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 300pF @ 40V、1100pF @ 40V