技術: GaNFET（窒化ガリウム）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 4mA、2.5V @ 16mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 8.2ミリオーム @ 25A、5V、2.1ミリオーム @ 25A、5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 10A（Ta）、40A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 4.9nC @ 15V、19nC @ 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 475pF @ 15V、1960pF @ 15V