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EMF23XV6T5G
EMF23XV6T5G
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認定: -
グレード: -
電力 - 最大: 357mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 10キロオーム
トランジスタタイプ: 1 NPN - プリバイアス、1 PNP
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 250mV @ 300µA、10mA / 500mV @ 5mA、50mA
周波数 - トランジション: 140MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 10キロオーム
電流 - コレクタ遮断(最大): 500nA、 500pA(ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 35 @ 5mA、10V / 120 @ 1mA、6V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 50V、60V
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グレード: -
電力 - 最大: 357mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 10キロオーム
トランジスタタイプ: 1 NPN - プリバイアス、1 PNP
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 250mV @ 300µA、10mA / 500mV @ 5mA、50mA
周波数 - トランジション: 140MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 10キロオーム
電流 - コレクタ遮断(最大): 500nA、 500pA(ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 35 @ 5mA、10V / 120 @ 1mA、6V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 50V、60V
