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EMD12FHAT2R
EMD12FHAT2R
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メーカー: ROHM Semiconductor
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数量
認定: AEC-Q101
グレード: 自動車
電力 - 最大: 150mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 47キロオーム
トランジスタタイプ: 1 NPN、1 PNP - プリバイアス(デュアル)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 300mV @ 500µA、10mA
周波数 - トランジション: 250MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 47キロオーム
電流 - コレクタ遮断(最大): -
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 68 @ 5mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): -
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グレード: 自動車
電力 - 最大: 150mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 47キロオーム
トランジスタタイプ: 1 NPN、1 PNP - プリバイアス(デュアル)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 300mV @ 500µA、10mA
周波数 - トランジション: 250MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 47キロオーム
電流 - コレクタ遮断(最大): -
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 68 @ 5mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): -
