仕入ランク:A
1
/
の
1
EMB51T2R
EMB51T2R
価格はお問合せ
要確認
メーカー: ROHM Semiconductor
データシート: データシートを表示
数量
認定: -
グレード: -
電力 - 最大: 150mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 22キロオーム
トランジスタタイプ: 2 PNP - プリバイアス(デュアル)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 150mV @ 500µA、5mA
周波数 - トランジション: 250MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 22キロオーム
電流 - コレクタ遮断(最大): 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 30mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 60 @ 5mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 50V
詳細を表示する
グレード: -
電力 - 最大: 150mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 22キロオーム
トランジスタタイプ: 2 PNP - プリバイアス(デュアル)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 150mV @ 500µA、5mA
周波数 - トランジション: 250MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 22キロオーム
電流 - コレクタ遮断(最大): 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 30mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 60 @ 5mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 50V
