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EMB10FHAT2R
EMB10FHAT2R
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メーカー: ROHM Semiconductor
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数量
認定: AEC-Q101
グレード: 自動車
電力 - 最大: 150mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 2.2キロオーム
トランジスタタイプ: 2 PNP - プリバイアス(デュアル)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 300mV @ 250µA、5mA
周波数 - トランジション: 250MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 47キロオーム
電流 - コレクタ遮断(最大): 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 80 @ 10mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 50V
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グレード: 自動車
電力 - 最大: 150mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 2.2キロオーム
トランジスタタイプ: 2 PNP - プリバイアス(デュアル)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 300mV @ 250µA、5mA
周波数 - トランジション: 250MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 47キロオーム
電流 - コレクタ遮断(最大): 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 80 @ 10mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 50V
