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EM6OE08NW9A-07H
EM6OE08NW9A-07H
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メーカー: Etron Technology, Inc.
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技術: SDRAM - DDR4
認定: -
グレード: -
動作温度: 0°C~95°C(TC)
メモリ構成: 512M x 8
電圧 - 供給: 1.14V~1.26V
アクセス時間: 18 ns
メモリサイズ: 4Gビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 1.333 GHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: POD
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 15ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: 0°C~95°C(TC)
メモリ構成: 512M x 8
電圧 - 供給: 1.14V~1.26V
アクセス時間: 18 ns
メモリサイズ: 4Gビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 1.333 GHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: POD
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 15ns
