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EM63B165TS-5ISG
EM63B165TS-5ISG
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メーカー: Etron Technology, Inc.
数量
技術: SDRAM
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 32M x 16
電圧 - 供給: 3V~3.6V
アクセス時間: 4.5 ns
メモリサイズ: 512Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 10ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 32M x 16
電圧 - 供給: 3V~3.6V
アクセス時間: 4.5 ns
メモリサイズ: 512Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 10ns