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EM064LXQAB313HS2R
EM064LXQAB313HS2R
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技術: MRAM(磁気抵抗RAM)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
メモリ構成: 8M x 8
電圧 - 供給: 1.7V~2V
アクセス時間: 7 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: RAM
メモリインターフェース: xSPI - Quad I/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
メモリ構成: 8M x 8
電圧 - 供給: 1.7V~2V
アクセス時間: 7 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: RAM
メモリインターフェース: xSPI - Quad I/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
