技術: シリコンカーバイド（SiC）
構成: 6 Nチャンネル（3相インバータ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 1.485kW（Tj）
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3.6V @ 125mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 3.7ミリオーム @ 450A、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 545A（Tj）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1272nC @ 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 38500pF @ 800V