技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: +19V、-8V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 483W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3.6V @ 22.08mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 22ミリオーム @ 80.28A、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 125A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 223 nC @ 15 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 6922 pF @ 1000 V