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DTD123ECHZGT116
DTD123ECHZGT116
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メーカー: ROHM Semiconductor
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認定: AEC-Q101
グレード: 自動車
電力 - 最大: 200 mW
抵抗器を含む: R1とR2
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 2.2 kOhms
トランジスタタイプ: NPN - プリバイアス
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 300mV @ 2.5mA、50mA
周波数 - トランジション: 200 MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 2.2 kOhms
電流 - コレクタ遮断(最大): 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 500 mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 39 @ 50mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 50 V
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グレード: 自動車
電力 - 最大: 200 mW
抵抗器を含む: R1とR2
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 2.2 kOhms
トランジスタタイプ: NPN - プリバイアス
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 300mV @ 2.5mA、50mA
周波数 - トランジション: 200 MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 2.2 kOhms
電流 - コレクタ遮断(最大): 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 500 mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 39 @ 50mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 50 V
