仕入ランク:A
1
/
の
1
DTB143ECHZGT116
DTB143ECHZGT116
価格はお問合せ
要確認
メーカー: ROHM Semiconductor
データシート: データシートを表示
数量
認定: AEC-Q101
グレード: 自動車
電力 - 最大: 200 mW
抵抗器を含む: R1とR2
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 4.7 kOhms
トランジスタタイプ: PNP - プリバイアス
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 300mV @ 2.5mA、50mA
周波数 - トランジション: 200 MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 4.7 kOhms
電流 - コレクタ遮断(最大): -
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 500 mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 47 @ 50mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): -
詳細を表示する
グレード: 自動車
電力 - 最大: 200 mW
抵抗器を含む: R1とR2
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 4.7 kOhms
トランジスタタイプ: PNP - プリバイアス
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 300mV @ 2.5mA、50mA
周波数 - トランジション: 200 MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 4.7 kOhms
電流 - コレクタ遮断(最大): -
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 500 mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 47 @ 50mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): -
